поискавой системы для электроныых деталей |
|
TC55VBM316ASTN55 датащи(PDF) 7 Page - Toshiba Semiconductor |
|
TC55VBM316ASTN55 датащи(HTML) 7 Page - Toshiba Semiconductor |
7 / 15 page TC55VBM316AFTN/ASTN40,55 2002-08-05 7/15 AC TEST CONDITIONS PARAMETER TEST CONDITION Input pulse level 0.2 V, VDD × 0.7 V + 0.2 V tR, tF 1V / ns(Fig.1) Timing measurements VDD × 0.5 Reference level VDD × 0.5 Output load 30 pF + 1 TTL Gate(Fig.2) Fig.1 : Input rise and fall time Fig.2 : Output load FUNCTION SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNIT tBS BYTE Setup Time 5 ms tBR BYTE Recovery Time 5 ms TIMING DIAGRAMS BYTE Dout 30 pF R2 VTM R1 R1 = 810 Ω R2 = 1610 Ω VTM = 2.3 V GND 90% 1 V/ns tR 10% 90% 10% tF VDD Typ 1 V/ns BYTE CE2 tBS 1 CE tBR BYTE |
Аналогичный номер детали - TC55VBM316ASTN55 |
|
Аналогичное описание - TC55VBM316ASTN55 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |