поискавой системы для электроныых деталей |
|
1N4148.1N4448 датащи(PDF) 2 Page - TEMIC Semiconductors |
|
1N4148.1N4448 датащи(HTML) 2 Page - TEMIC Semiconductors |
2 / 4 page 1N4148.1N4448 TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 12-Dec-94 2 (4) Characteristics Tj = 25 _C Parameter Test Conditions Type Symbol Min Typ Max Unit Forward voltage IF=5mA 1N4448 VF 0.62 0.72 V g IF=10mA 1N4148 VF 1 V IF=100mA 1N4448 VF 1 V Reverse current VR=20 V IR 25 nA VR=20 V, Tj=150 °C IR 50 mA VR=75 V IR 5 mA Breakdown voltage IR=100 mA, tp/T=0.01, tp=0.3ms V(BR) 100 V Diode capacitance VR=0, f=1MHz, VHF=50mV CD 4 pF Rectification efficiency VHF=2V, f=100MHz hr 45 % Reverse recovery time IF=IR=10mA, iR=1mA trr 8 ns y IF=10mA, VR=6V, iR=0.1xIR, RL=100 W trr 4 ns Typical Characteristics (Tj = 25 _C unless otherwise specified) –30 0 306090 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 Tj – Junction Temperature ( °C ) 120 94 9169 1.0 IF = 100 mA 10 mA 1mA 0.1 mA Figure 1. Forward Voltage vs. Junction Temperature 0 0.4 0.8 1.2 1.6 0.1 1 10 100 1000 VF – Forward Voltage ( V ) 2.0 94 9170 1 N 4148 Scattering Limit Tj =25°C Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage |
Аналогичный номер детали - 1N4148.1N4448 |
|
Аналогичное описание - 1N4148.1N4448 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |