поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SK2180 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2SK2180 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK2180 · ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 1mA 500 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= 10V; ID=0.3mA 2.5 3.0 3.5 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 1.5A 1.8 2.3 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±30V;VDS= 0 ± 100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 500V; VGS= 0 250 µA VSD Forward On-Voltage IS=1.5A; VGS=0 1.5 V ton Turn-on Time VGS=10V;ID=1.5A; RL=100Ω 45 80 ns toff Turn-off Time 90 140 |
Аналогичный номер детали - 2SK2180_17 |
|
Аналогичное описание - 2SK2180_17 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |