поискавой системы для электроныых деталей |
|
ST2317S23RG датащи(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
|
ST2317S23RG датащи(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 6 page ST2317S23RG P Channel Enhancement Mode MOSFET -5.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com ST2317S23RG 2016 Rev.1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=-10uA -40 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=-250uA -1 -2.5 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±20V ± 100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-40V,VGS=0V -1 uA VDS=-36V,VGS=0V TJ=55℃ -5 Drain-source On-Resistance RDS(on) VGS=-10V,ID=-5.0A VGS=-4.5V,ID=-3.8A 37 51 45 58 mΩ Forward Transconductance gfs VDS=-15V,ID=-3.0A 17 S Diode Forward Voltage VSD IS=-1.0A,VGS=0V -1.0 V Dynamic Total Gate Charge Qg VDS=-20V VGS=-15V ID≡-5.0A 18 22 nC Gate-Source Charge Qgs 8.5 Gate-Drain Charge Qgd 3.0 Input Capacitance Ciss VDS=-20V VGS=0V F=1MHz 950 pF Output Capacitance Coss 95 Reverse Transfer Capacitance Crss 75 Turn-On Time td(on) tr VDD=-20V RL=3.3Ω VGEN=3Ω VDS=-20V 8 20 nS 10 20 Turn-Off Time td(off) tf 30 35 15 20 |
Аналогичный номер детали - ST2317S23RG |
|
Аналогичное описание - ST2317S23RG |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |