поискавой системы для электроныых деталей |
|
RGTV00TS65D датащи(PDF) 4 Page - Rohm |
|
RGTV00TS65D датащи(HTML) 4 Page - Rohm |
4 / 13 page www.rohm.com © 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Datasheet RGTV00TS65D IGBT Electrical Characteristics (at Tj = 25°C unless otherwise specified) VCC = 400V diF/dt = 200A/μs VCC = 400V diF/dt = 200A/μs μC Tj = 25°C Diode Peak Reverse Recovery Current Irr IF = 50A - 15.2 - A Diode Reverse Recovery Charge Qrr - 0.64 - μJ μC Tj = 175°C Diode Reverse Recovery Energy Err - 104.8 - μJ Diode Reverse Recovery Charge Qrr - 1.62 - -ns Diode Reverse Recovery Energy Err - 29.5 - Diode Reverse Recovery Time trr - 177 ns Diode Peak Reverse Recovery Current Irr IF = 50A - 11.2 - A Diode Reverse Recovery Time trr - 102 - V Tj = 25°C - 1.45 1.9 Tj = 175°C - 1.55 - Diode Forward Voltage VF IF = 50A Parameter Symbol Conditions Values Unit Min. Typ. Max. 4/11 2017.05 - Rev.A |
Аналогичный номер детали - RGTV00TS65D |
|
Аналогичное описание - RGTV00TS65D |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |