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9 / 24 page  BA5901K 光ディスク IC !電気的特性 電気的特性 電気的特性 電気的特性 （特に指定のない限り Ta=25 °C，BATT=2.4V，VSYS1=VSYS2=3.2V，Vref=1.6V，CHGVCC=0V，fCLK=88.2kHz） Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions Test circuit No. 〔全体回路〕 BATT スタンバイ時電流 BATT 無負荷時電源電流 VSYS1 無負荷時電源電流 VSYS2 無負荷時電源電流 CHGVCC 無負荷時電源電流 〔Hブリッジドライバ部〕 正負電圧利得差 下側Tr飽和電圧 上側Tr飽和電圧 入力オフセット電圧 不感帯幅 電圧利得ch2 ch1，3，4 IN端子入力抵抗ch2 ch1，3，4 出力オフセット電圧ch2 BRAKE1 ONスレッショルド電圧 BRAKE1 OFFスレッショルド電圧 MUTE2 ONスレッショルド電圧 MUTE2 OFFスレッショルド電圧 MUTE34 ONスレッショルド電圧 ch1，3，4 IST ― 0 3 μA Fig.1 BATT＝9V， VSYS1＝VSYS2＝Vref＝0V IBAT ― 2.5 4.0 mA Fig.1 HVCC＝0.45V，MUTE34＝3.2V ISYS1 ― 4.7 6.4 mA Fig.1 HVCC＝0.45V， MUTE34＝3.2V，EI＝0V ISYS2 ― 4.1 5.5 mA Fig.1 HVCC＝0.45V，MUTE34＝3.2V ICGVCC ― 0.65 2.0 mA Fig.1 1 2 3 4 5 Fig.2 6 Fig.2 8 CHGVCC＝4.5V，ROUT＝OPEN GVC134 GVC2 12 21.5 14 23.5 16 24.5 dB dB RIN134 RIN2 9 6 11 7.5 13 9 kΩ kΩ IN＝1.7 and 1.8V ΔGVC −2 −8 0 2 dB V satL V satU VOI 240 240 0 400 400 8 mV mV mV IO＝−300mA，IN＝0 and 3.2V IO＝−300mA，IN＝0 and 3.2V VOO134 VOO2 −50 −130 0 0 50 130 mV mV Vref＝IN＝1.6V VDB −10 0 10 mV VBRON 2.0 ― ― V IN1＝1.8V 最大出力振幅 VOUT 1.9 2.1 ― ― ― V RL＝8Ω，HVCC＝BATT＝4V， IN＝0−3.2V VBROFF ― ― 0.8 V IN1＝1.8V VM2ON 2.0 ― ― V IN2＝1.8V VM2OFF ― ― 0.8 V IN2＝1.8V VM34ON ― ― 0.8 V IN3＝IN4＝1.8V VM34OFF 2.0 ― ― V IN3＝IN4＝1.8V 1.2 ― ― V IN1＝IN2＝IN3＝IN4＝1.8V VrefON ― ― 0.8 V IN1＝IN2＝IN3＝IN4＝1.8V VrefOFF 4 7 10 mA BRAKE1端子“H”時と“L”時の 電流差 IBRAKE1 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 Fig.2 7 10 11 12 14 Fig.2 13 15 9 16 17 18 19 20 21 22 23 MUTE34 OFFスレッショルド電圧 Vref ON スレッショルド電圧 Vref OFF スレッショルド電圧 BRAKE1 ブレーキ電流 ◎耐放射線設計はしておりません。 |
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