 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
IRF200P223 датащи(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
IRF200P223 датащи(HTML) 7 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
7 / 17 page  Final Datasheet V1.0 2017-02-27 IR MOSFET-StrongIRFET™ IRF200P223 7 Electrical characteristic diagrams Figure 7 Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Figure 8 Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage Figure 9 Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) 0.1 1 10 100 1000 TJ = 25°C TJ = 175°C VGS = 0V 0 102030 405060 708090 100 QG, Total Gate Charge (nC) 0 2 4 6 8 10 12 14 ID= 60A VDS= 160V VDS= 100V VDS= 40V 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 1 10 100 1000 10000 100000 1000000 VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED Crss = Cgd Coss = Cds + Cgd Coss Crss Ciss |
Аналогичный номер детали - IRF200P223 |
|
Аналогичное описание - IRF200P223 |
|
|
|
ссылки URL |
| Конфиденциальность |
| ALLDATASHEETRU.COM |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
