 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
ISCE18138P датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
ISCE18138P датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
2 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc website：www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon PNP Power Transistor ISCE18138P ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -2A; IB= -0.2A -0.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= -2A; IB= -0.2A -2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -30V; IE= 0 -1.0 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -3V; IC= 0 -1.0 μ A hFE-1 DC Current Gain IC= -20mA ; VCE= -2V 30 hFE-2 DC Current Gain IC= -1A ; VCE= -2V 60 400 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.1A ; VCE= -5V 80 MHz COB Output Capacitance IE=0; VCB= -10V, ftest= 1MHz 55 pF hFE-2 Classifications R Q P E 60-120 100-200 160-320 200-400 |
Аналогичный номер детали - ISCE18138P |
|
Аналогичное описание - ISCE18138P |
|
|
|
ссылки URL |
| Конфиденциальность |
| ALLDATASHEETRU.COM |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
