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TLP555 датащи(PDF) 4 Page - Toshiba Semiconductor

номер детали TLP555
подробное описание детали  TLP555
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производитель  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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TLP555 датащи(HTML) 4 Page - Toshiba Semiconductor

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TLP555
2001-04-06
4
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性 (特に指定のない場合、
特に指定のない場合、
特に指定のない場合、
特に指定のない場合、
Ta = −25~
85℃、
℃、
℃、
℃、
VCC = 4.5~
20 V)
項目
記号
測定条件
最小
標準
(*)
最大
単位
力順電
VF
IF = 5 mA, Ta = 25℃
1.55
1.7
V
入力
順電圧温度係
Δ
VF /ΔTa
IF = 5 mA
−2.0
mV /℃
力逆電
IR
VR = 5 V, Ta = 25℃
10
μ
A
入力端
子間
容量
CT
VF = 0, f = 1 MHz, Ta = 25℃
45
pF
VO = 5.5 V
100
出 力 リ ー ク 電 流
(VO > VCC)
IOHH
IF = 5 mA,
VCC = 4.5 V
VE = GND
VO = 20 V
2
500
μ
A
ロー
レベル出力電
VOL
IOL = 6.4 mA, VF = 0.8 V
VE = 0.8 V
0.4
0.5
V
ハイ
レベル出力電
VOH
IOH = −2.6 mA, IF = 1.6 mA
VE = 0.8 V
2.4
3.3
V
ローレベルイ ネーブ ル電流
IEL
VE = 0.4 V
−0.13
−0.32
mA
VE = 2.7 V
20
VE = 5.5 V
100
ハイレベルイ ネーブ ル電流
IEH
VE = 20 V
0.01
250
μ
A
ローレベルイ ネーブ ル電圧
VEL
0.8
V
ハイレベルイ ネーブ ル電圧
VEH
2.0
V
VCC = 5.5 V
5
6.0
ロー
レベル供給電
ICCL
VF = 0 V, VE = GND
VCC = 20 V
5.6
7.5
mA
VCC = 5.5 V
2.5
4.5
ハイ
レベル供給電
ICCH
IF = 5 mA
VE = GND
VCC = 20 V
2.8
6.0
mA
IOZL
IF = 5 mA, VE = 2 V
VO = 0.4 V
1
−20
VO = 2.4 V
20
VO = 5.5 V
100
ハイインピーダ ンス出 力電流
IOZH
VF = 0 V, VE = 2 V
VO = 20 V
0.01
500
μ
A
VO = VCC = 5.5 V
25
55
ローレベルショート回路出力電流
(注 6)
IOSL
VF = 0 V
VE = 0.8 V
VO = VCC = 20 V
40
80
mA
VCC = 5.5 V
−10
−25
ハイレベルショート回路出力電流
(注 6)
IOSH
IF = 5mA, VO = GND
VE = 0.8V
VCC = 20 V
−25
−60
mA
“出 力
L →出 力 H ”入力電 流
IFH
VE = 0.8 V, IO = −2.6 mA
VO > 2.4 V
0.4
1.6
mA
“出 力
H →出 力 L ”入力電 圧
VFL
VE = 0.8 V, IO = 6.4 mA,
VO < 0.4 V
0.8
V
入力電流ヒ ステ リシス
IHYS
VCC = 5 V, VE = GND
0.05
mA
絶縁抵抗
RS
VS = 500 V, R.H.≦60%
Ta = 25℃
(注 5)
5×10
10
10
14
Ω
入出力間容量
CS
VS = 0, f = 1 MHz, Ta = 25℃ (注 5)
1.0
pF
*:
標準値は、
Ta = 25℃、VCC = 5 V、IF (ON) = 3 mA の値。


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