поискавой системы для электроныых деталей |
|
BAT82 датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BAT82 датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 5 page 1996 Mar 20 3 Philips Semiconductors Product specification Schottky barrier diodes BAT81; BAT82; BAT83 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb =25 °C unless otherwise specified. THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Refer to SOD68 standard mounting conditions. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX. UNIT VF forward voltage see Fig.2 IF = 0.1 mA 330 mV IF =1mA 410 mV IF =15mA 1V IR reverse current VR =VRmax; see Fig.3 200 nA Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR = 1 V; see Fig.4 1.6 pF SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 320 K/W |
Аналогичный номер детали - BAT82 |
|
Аналогичное описание - BAT82 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |