поискавой системы для электроныых деталей |
|
BF989 датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BF989 датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 8 page April 1991 3 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF989 LIMITING VALUES In according with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VDS drain-source voltage − 20 V ID drain current (DC) − 20 mA ID(AV) average drain current − 20 mA IG1-S gate 1-source current −±10 mA IG2-S gate 2-source current −±10 mA Ptot total power dissipation up to Tamb =60 °C; note 1 − 200 mW Tstg storage temperature range −65 +150 °C Tj junction temperature − 150 °C Fig.2 Power derating curve. handbook, halfpage 0 200 0 100 200 MGE792 100 Tamb (°C) Ptot (mW) THERMAL CHARACTERISTICS Note to the Limiting values and the Thermal characteristics 1. Device mounted on a ceramic substrate of 8 × 10 × 0.7 mm. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient in free air; note 1 460 K/W |
Аналогичный номер детали - BF989 |
|
Аналогичное описание - BF989 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |