поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SJ649 датащи(PDF) 7 Page - NEC |
|
2SJ649 датащи(HTML) 7 Page - NEC |
7 / 8 page Data Sheet D16332EJ1V0DS 7 2SJ649 PACKAGE DRAWING (Unit: mm) Isolated TO-220 (MP-45F) 10.0 ± 0.3 3.2 ± 0.2 φ 4.5 ± 0.2 2.7 ± 0.2 2.5 ± 0.1 0.65 ± 0.1 1.5 ± 0.2 2.54 1.3 ± 0.2 2.54 0.7 ± 0.1 12 3 1.Gate 2.Drain 3.Source EQUIVALENT CIRCUIT Source Body Diode Gate Protection Diode Gate Drain Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage may be applied to this device. |
Аналогичный номер детали - 2SJ649 |
|
Аналогичное описание - 2SJ649 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |