поискавой системы для электроныых деталей |
|
BU2515DF датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BU2515DF датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 7 page Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2515DF Fig.1. Switching times waveforms. Fig.2. Switching times definitions. Fig.3. Definition of anti-parallel diode V fr and tfr. Fig.4. Switching times test circuit. Fig.5. High and low DC current gain. h FE = f (IC) V CE = 1 V Fig.6. High and low DC current gain. h FE = f (IC) V CE = 5 V IC IB VCE ICsat IBend 18us 8.8us t t t TRANSISTOR DIODE + 150 v nominal adjust for ICsat Lc Cfb D.U.T. LB IBend -VBB Rbe ICsat 90 % 10 % tf ts IBend IC IB t t - IBM 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 VCE = 1 V Ths = 25 C Ths = 85 C hFE BU2515DF/X IC / A time time V F V fr V F I F fr t 10% 5 V I F BU2515DF/X 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 VCE = 5 V Ths = 25 C Ths = 85 C hFE IC / A September 1997 3 Rev 1.200 |
Аналогичный номер детали - BU2515DF |
|
Аналогичное описание - BU2515DF |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |