поискавой системы для электроныых деталей |
|
STB11NM60FD-1 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB11NM60FD-1 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 16 page STP45NF3LL - STB45NF3LL Electrical characteristics 5/16 Table 6. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current 45 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current (pulsed) 180 A VSD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % Forward on voltage ISD = 45A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 45A, VDD = 15V di/dt = 100A/µs, (see Figure 17) 35 44 2.5 ns nC A |
Аналогичный номер детали - STB11NM60FD-1 |
|
Аналогичное описание - STB11NM60FD-1 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |