поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI9936DY датащи(PDF) 8 Page - NXP Semiconductors |
|
SI9936DY датащи(HTML) 8 Page - NXP Semiconductors |
8 / 13 page Philips Semiconductors Si9936DY N-channel enhancement mode field-effect transistor Product data Rev. 01 — 16 July 2001 8 of 13 9397 750 08413 © Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved. Tj =25 °C and 150 °C; VGS =0V ID = 5 A; VDD =15V Fig 12. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values. Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values. 03af72 0 10 20 30 40 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 VSD (V) IS (A) Tj = 25 ºC 150 ºC VGS = 0 V 03af74 0 2 4 6 8 10 0 5 10 15 20 QG (nC) VGS (V) ID = 5 A Tj = 25 ºC VDD = 15 V |
Аналогичный номер детали - SI9936DY |
|
Аналогичное описание - SI9936DY |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |