поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SK2855 датащи(PDF) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
|
2SK2855 датащи(HTML) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
2 / 4 page 2SK2855 2007-11-01 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C) CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT Output Power PO VDS = 6V, f = 849MHz Pi = 23dBmW 31 — — dBmW Drain Efficiency ηD VDS = 6V, f = 849MHz Pi = 23dBmW, PO = 31dBmW 55 — — % Drain-Source Breakdown Voltage V (BR) DSS VGS = 0, ID = 1μA 10 — — V Drain Cut-off Current IDSS VDS = 6V, VGS = 0 — — 100 nA Threshold Voltage Vth VDS = 6V, ID = 500μA 1.0 1.4 1.8 V Gate-Source Leakage Current IGSS VGS = 6V, VDS = 0 — — ±100 nA Note 2: These characteristic values are measured using measurement tools specified by Toshiba. RF OUTPUT POWER TEST FIXTURE |
Аналогичный номер детали - 2SK2855 |
|
Аналогичное описание - 2SK2855 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |