поискавой системы для электроныых деталей |
|
BTA41B датащи(PDF) 2 Page - STMicroelectronics |
|
BTA41B датащи(HTML) 2 Page - STMicroelectronics |
2 / 5 page GATE CHARACTERISTICS (maximum values) Symbol Parameter Value Unit Rth (j-a) Junction to ambient 50 °C/W Rth (j-c) DC Junction to case for DC BTA 1.2 °C/W BTB 0.8 Rth (j-c) AC Junction to case for 360 ° conduction angle ( F= 50 Hz) BTA 0.9 °C/W BTB 0.6 Symbol Test Conditions Quadrant Suffix Unit AB IGT VD=12V (DC) RL=33Ω Tj=25 °C I-II-III MAX 100 50 mA IV MAX 150 100 VGT VD=12V (DC) RL=33Ω Tj=25 °C I-II-III-IV MAX 1.5 V VGD VD=VDRM RL=3.3kΩ Tj=125 °C I-II-III-IV MIN 0.2 V tgt VD=VDRM IG = 500mA dIG/dt = 3A/µs Tj=25 °C I-II-III-IV TYP 2.5 µs IL IG=1.2 IGT Tj=25 °C I-III-IV TYP 70 60 mA II 200 180 IH *IT= 500mA gate open Tj=25 °C MAX 100 80 mA VTM *ITM= 60A tp= 380µs Tj=25 °C MAX 1.8 V IDRM IRRM VDRM Rated VRRM Rated Tj=25 °C MAX 0.01 mA Tj=125 °C MAX 6 dV/dt * Linear slope up to VD=67%VDRM gate open Tj=125 °C MIN 250 250 V/ µs (dV/dt)c * (dI/dt)c = 18A/ms BTA (dI/dt)c = 20A/ms BTB Tj=125 °C MIN 10 V/ µs * For either polarity of electrode A2 voltage with reference to electrode A1. PG (AV) =1W PGM = 40W (tp = 20 µs) IGM =8A (tp =20 µs) VGM = 16V (tp = 20 µs). ELECTRICAL CHARACTERISTICS THERMAL RESISTANCES BTA41 A/B / BTB41 B 2/5 |
Аналогичный номер детали - BTA41B |
|
Аналогичное описание - BTA41B |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |