поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

P-TO262-3-1 датащи(PDF) 6 Page - Infineon Technologies AG

номер детали P-TO262-3-1
подробное описание детали  SIPMOS짰 Power-Transistor
Download  8 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
производитель  INFINEON [Infineon Technologies AG]
домашняя страница  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG

P-TO262-3-1 датащи(HTML) 6 Page - Infineon Technologies AG

  P-TO262-3-1 Datasheet HTML 1Page - Infineon Technologies AG P-TO262-3-1 Datasheet HTML 2Page - Infineon Technologies AG P-TO262-3-1 Datasheet HTML 3Page - Infineon Technologies AG P-TO262-3-1 Datasheet HTML 4Page - Infineon Technologies AG P-TO262-3-1 Datasheet HTML 5Page - Infineon Technologies AG P-TO262-3-1 Datasheet HTML 6Page - Infineon Technologies AG P-TO262-3-1 Datasheet HTML 7Page - Infineon Technologies AG P-TO262-3-1 Datasheet HTML 8Page - Infineon Technologies AG  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 6 / 8 page
background image
2002-01-09
Page 6
Preliminary data
SPI47N10L
SPP47N10L,SPB47N10L
9 Drain-source on-state resistance
RDS(on) = f (Tj)
parameter : ID = 33 A, VGS = 4.5 V
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
Tj
0
20
40
60
80
100
120
140
m

170
SPP47N10L
typ
98%
10 Gate threshold voltage
VGS(th) = f (Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 2 mA
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
Tj
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
V
3
min
typ
max
11 Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter: VGS=0V, f=1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
40
VDS
2
10
3
10
4
10
pF
Ciss
Coss
Crss
12 Forward character. of reverse diode
IF = f (VSD)
parameter: Tj , tp = 80 µs
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
VSD
0
10
1
10
2
10
3
10
A
SPP47N10L
T
j = 25 °C typ
T
j = 25 °C (98%)
T
j = 175 °C typ
T
j = 175 °C (98%)


Аналогичный номер детали - P-TO262-3-1

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
P-TO263-3-2 INFINEON-P-TO263-3-2 Datasheet
251Kb / 10P
   Cool MOS??Power Transistor
2003-10-06
More results

Аналогичное описание - P-TO262-3-1

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Infineon Technologies A...
SPD04P10PLG INFINEON-SPD04P10PLG Datasheet
463Kb / 9P
   SIPMOS짰 Power-Transistor
Rev 1.6 2012-09-10
BUZ110S INFINEON-BUZ110S Datasheet
139Kb / 8P
   SIPMOS짰 Power Transistor
05.99
SPB08P06P INFINEON-SPB08P06P_12 Datasheet
273Kb / 8P
   SIPMOS짰 Power-Transistor
Rev 1.7 2012-09-07
SPP80N06S-08 INFINEON-SPP80N06S-08 Datasheet
171Kb / 8P
   SIPMOS짰 Power-Transistor
Rev. 1.0 2004-11-30
SPD15P10PL INFINEON-SPD15P10PL Datasheet
763Kb / 10P
   SIPMOS짰 Power-Transistor
Rev 1.5 2012-09-03
SPD08P06PG INFINEON-SPD08P06PG_12 Datasheet
605Kb / 9P
   SIPMOS짰 Power-Transistor
Rev 1.92 2012-09-10
SPD04P10PG INFINEON-SPD04P10PG Datasheet
479Kb / 9P
   SIPMOS짰 Power-Transistor
Rev 1.6 2012-09-10
SPB18P06PG INFINEON-SPB18P06PG_12 Datasheet
446Kb / 8P
   SIPMOS짰 Power-Transistor
Rev 1.6 2012-09-07
SPP15P10PLH INFINEON-SPP15P10PLH Datasheet
767Kb / 10P
   SIPMOS짰 Power-Transistor
Rev 1.4 2011-09-01
BSS138NH6327 INFINEON-BSS138NH6327 Datasheet
463Kb / 9P
   SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor
Rev. 2.86 2012-04-17
More results


Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8


датащи скачать

Go To PDF Page


ссылки URL




Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com