поискавой системы для электроныых деталей |
|
STB12NM50T4 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB12NM50T4 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 17 page STP12NM50-STP12NM50FP-STB12NM50-STB12NM50-1 Electrical characteristics 5/17 Table 6. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current 11 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) 48 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD=12A, VGS=0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=12A, di/dt = 100A/µs, VDD=100V, Tj=25°C (see Figure 16) 270 2.23 16.5 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=12A, di/dt = 100A/µs, VDD=100V, Tj=150°C (see Figure 16) 340 3 18 ns µC A |
Аналогичный номер детали - STB12NM50T4 |
|
Аналогичное описание - STB12NM50T4 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |