поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI2301CDS-T1-E3 датащи(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
|
SI2301CDS-T1-E3 датащи(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 6 page Document Number: 68741 S-81446-Rev. A, 23-Jun-08 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si2301CDS TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Gate Charge VGS =1.5 V 0 2 4 6 8 10 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VGS =5thru 2.5 V VGS =1 V VGS =2 V 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0 246 8 10 ID - Drain Current (A) VGS =4.5 V VGS =2.5 V 0 2 4 6 8 0 246 8 10 Qg - Total Gate Charge (nC) ID =3A VDS =10 V VDS =5 V VDS =15 V Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TC = 25 °C TC = 125 °C TC = - 55 °C Crss 0 200 400 600 800 0 5 10 15 20 Ciss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) Coss 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ -Junction Temperature (°C) VGS =1.8V ID =2.8 A VGS =4.5 V |
Аналогичный номер детали - SI2301CDS-T1-E3 |
|
Аналогичное описание - SI2301CDS-T1-E3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |