поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI5856DC-T1-E3 датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI5856DC-T1-E3 датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 7 page Si5856DC Vishay Siliconix www.vishay.com 4 Document Number: 72234 S-50366—Rev. C, 28-Feb-05 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) MOSFET VDS − Drain-to-Source Voltage (V) *VGS u minimum VGS at which rDS(on) is specified 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0 1234 5 TJ = 150_C TJ = 25_C ID = 4.4 A 20 1 Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage VSD − Source-to-Drain Voltage (V) VGS − Gate-to-Source Voltage (V) −0.4 −0.3 −0.2 −0.1 −0.0 0.1 0.2 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 mA Threshold Voltage TJ − Temperature (_C) 0 30 50 10 20 Single Pulse Power Time (sec) 40 1 100 600 10 10−1 10−2 10−4 10−3 Safe Operating Area 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 TA = 25_C Single Pulse P(t) = 10 dc 0.1 IDM Limited ID(on) Limited *rDS(on) Limited BVDSS Limited P(t) = 1 P(t) = 0.1 P(t) = 0.01 P(t) = 0.001 P(t) = 0.0001 10 ID = 2 A |
Аналогичный номер детали - SI5856DC-T1-E3 |
|
Аналогичное описание - SI5856DC-T1-E3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |