поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI5938DU-T1-GE3 датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI5938DU-T1-GE3 датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 7 page www.vishay.com 4 Document Number: 73463 S-81449-Rev. B, 23-Jun-08 Vishay Siliconix Si5938DU TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 10 20 TJ = 25 °C TJ = 150 °C VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 012345 ID = 4.4 A VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 25 °C 125 °C 600 0 30 40 10 20 Time (s) 1 0.1 0.01 0.001 10 100 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 100 1 0.1 1 100 0.01 0.1 1 ms 10 ms 100 ms DC VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified 1 s 10 s 10 Limited by RDS(on)* ID(on) limited 10 BVDSS limited IDM limited 100 µs TA = 25 °C Single Pulse |
Аналогичный номер детали - SI5938DU-T1-GE3 |
|
Аналогичное описание - SI5938DU-T1-GE3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |