поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SA1117 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2SA1117 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1117 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA ;IB=0 -200 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ;IC=0 -6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-0.5A -2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-200V; IE=0 -0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-6V; IC=0 -0.1 mA hFE DC current gain IC=-8A ; VCE=-4V 20 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-12V 20 MHz 2 |
Аналогичный номер детали - 2SA1117 |
|
Аналогичное описание - 2SA1117 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |