поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC2881 датащи(PDF) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
2SC2881 датащи(HTML) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
1 / 4 page 2SC2881 2004-07-07 1 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2881 Voltage Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High voltage: VCEO = 120 V • High transition frequency: fT = 120 MHz (typ.) • Small flat package • PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate) • Complementary to 2SA1201 Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 120 V Collector-emitter voltage VCEO 120 V Emitter-base voltage VEBO 5 V Collector current IC 800 mA Base current IB 160 mA PC 500 Collector power dissipation PC (Note 1) 1000 mW Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature range Tstg −55 to 150 °C Note 1: Mounted on a ceramic substrate (250 mm 2 × 0.8 t) Unit: mm PW-MINI JEDEC ― JEITA SC-62 TOSHIBA 2-5K1A Weight: 0.05 g (typ.) |
Аналогичный номер детали - 2SC2881 |
|
Аналогичное описание - 2SC2881 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |