поискавой системы для электроныых деталей |
|
3N80G-TA3-T датащи(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
3N80G-TA3-T датащи(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
3 / 6 page 3N80 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 6 www.unisonic.com.tw QW-R502-283.D ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS Diode Forward Voltage(Note 1) VSD ISD=3A ,VGS=0V 1.6 V Source-Drain Current ISD 2.5 A Source-Drain Current (Pulsed) ISDM 10 A Reverse Recovery Current IRRM 8.4 A Body Diode Reverse Recovery Time tRR 384 ns Body Diode Reverse Recovery Charge QRR ISD=3A, di/dt=100A/μs, VDD=50V, TJ=25°C 1600 nC Note: 1.Pulse width=300μs, Duty cycle≦1.5% Note: 2.COSS(EQ) is defined as constant equivalent capacitance giving the same charging time as COSS when VDS increases from 0to 80% VDSS. |
Аналогичный номер детали - 3N80G-TA3-T |
|
Аналогичное описание - 3N80G-TA3-T |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |