поискавой системы для электроныых деталей |
|
FMI16N50E датащи(PDF) 2 Page - Fuji Electric |
|
FMI16N50E датащи(HTML) 2 Page - Fuji Electric |
2 / 5 page 2 FMI16N50E 2 FUJI POWER MOSFET 0 4 8 12 16 20 24 0 10 20 30 40 50 VDS [V] Typical Output Characteristics ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0.1 1 10 100 VGS[V] Typical Transfer Characteristic ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25 °C 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 ID [A] Typical Transconductance gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25 °C 0 25 50 75 100 125 150 0 50 100 150 200 250 300 Allowable Power Dissipation PD=f(Tc) Tc [°C] 100 101 102 103 10 -2 10 -1 10 0 101 102 t PD Power loss waveform : Square waveform t PD t PD Power loss waveform : Square waveform VDS [V] Safe Operating Area ID=f(VDS):Duty=0(Single pulse),Tc=25 °c t= 1µs 10µs 1ms 100µs D.C. 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 ID [A] Typical Drain-Source on-state Resistance RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25 °C 10V 5.5V 6V 5V VGS=4.5V 10V 6.0V 5.5V 5.0V VGS=4.5V |
Аналогичный номер детали - FMI16N50E |
|
Аналогичное описание - FMI16N50E |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |