поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXZ2210N50L датащи(PDF) 2 Page - IXYS Corporation |
|
IXZ2210N50L датащи(HTML) 2 Page - IXYS Corporation |
2 / 9 page IXZ210N50L & IXZ2210N50L RF Power MOSFET Symbol Test Conditions Characteristic Values (TJ = 25°C unless otherwise specified) min. typ. max. Ciss 560 622 690 pF Coss VGS = 0 V, VDS = 0.8 VDSS(MAX), f = 1 MHz 50 77 150 pF Crss 10 12 13 pF Cstray Back Metal to any Pin 21 pF Td(on) 4 ns Ton VGS = 15 V, VDS = 0.8 VDSS ID = 0.5 IDM RG = 1 Ω (External) 3 ns Td(off) 4 ns Toff 5 ns VHF COMMUNICATIONS min. typ. max. Gps VDD= 50V, Pout=200W, f=175MHz 13 16 Drain Efficiency VDD= 50V, Pout=200W, f=175MHz 50 60 Load Mismatch VDD= 150V, Pout=300W, f=175MHz TBD db % 3T MRI min. typ. max. Gps(1) VDD=150V, POUT=475W, F=128MHz 12 13 db Drain Efficiency VDD= 50V, Pout=200W, f=175MHz 60 65 % Zin= 0.59-J0.90 Zout= 5.86+J9.34 (1) - As measured under pulsed conditions (5 ms, 5%) with a gated Bias in Class AB, at P1dB. |
Аналогичный номер детали - IXZ2210N50L |
|
Аналогичное описание - IXZ2210N50L |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |