поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1210 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2SD1210 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1210 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10A, IB= 25mA 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 10A, IB= 25mA 2.0 V ICBO Collector Cutoff current VCB= 100V, IE= 0 10 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 8V; IC= 0 5 mA hFE DC Current Gain IC= 10A; VCE= 2V 1000 Switching Times ton Turn-On Time 1.0 μs tstg Storage Time 5.0 μs tf Fall Time IC = 10A,IB1 = -IB2= 25mA; RL= 5Ω;VCC≈ 50V 2.0 μs isc Website:www.iscsemi.cn |
Аналогичный номер детали - 2SD1210 |
|
Аналогичное описание - 2SD1210 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |