поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1451 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2SD1451 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1451 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=200mA; IC=0 6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=1.2A; IB=0.3A 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=1.2A; IB=0.3A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=1500V; IE=0 0.5 mA hFE DC current gain IC=0.3A ; VCE=5V 6 VF Diode forward voltage IF=1.5A 2.2 V |
Аналогичный номер детали - 2SD1451 |
|
Аналогичное описание - 2SD1451 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |