поискавой системы для электроныых деталей
Selected language     Russian  ▼

Delete All
ON OFF
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF Download HTML

BU508DFI датащит (PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

№ деталь BU508DFI
подробность  Silicon NPN Power Transistors
скачать  3 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100% Zoom Out
производитель  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
домашняя страница  http://www.iscsemi.cn
Logo 

BU508DFI Datasheet(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

   
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 3 page
background image
Inchange Semiconductor
Product Specification
2
Silicon NPN Power Transistors
BU508DFI
CHARACTERISTICS
Tj=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
VCEO(SUS)
Collector-emitter sustaining voltage
IC=100mA ;IB=0
700
V
VCEsat
Collector-emitter saturation voltage
IC=4.5A ;IB=2A
1.0
V
VBEsat
Base-emitter saturation voltage
IC=4.5A ;IB=2A
1.3
V
ICES
Collector cut-off current
VCE=1500V, VBE=0
Tj=125℃
1.0
2.0
mA
IEBO
Emitter cut-off current
VEB=5.0V; IC=0
300
mA
hFE
DC current gain
IC=1A ; VCE=5V
8
fT
Transition frequency
IC=0.1A ; VCE=5V
7
MHz
VF
Diode forward voltage
IF=4A
2.0
V
ts
Storage time
7
μs
tf
Fall time
IC=4.5A ; VCC=140V
IB=1.8A; LB=3mH
LC=0.9mH
0.55
μs


Html Pages

1  2  3 


датащит скачать




ссылки URL



Privacy Policy
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |  реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность    |   закладка   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved© Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn