поискавой системы для электроныых деталей |
|
BU2525A датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
BU2525A датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors BU2525A CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA ;IB=0,L=25mH 800 V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA; IC=0 7.5 13.5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=8A; IB=1.6A 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=8A; IB=1.6A 1.3 V ICES Collector cut-off current VCE=rated ;VBE=0 Tj=125℃ 1.0 2.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=7.5V; IC=0 1.0 mA hFE-1 DC current gain IC=0.1A ; VCE=5V 6 13 26 hFE-2 DC current gain IC=8A ; VCE=5V 5 7 10 CC Collector capacitance IE=0, VCB=10V;f=1MHz 145 pF |
Аналогичный номер детали - BU2525A |
|
Аналогичное описание - BU2525A |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |