поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI5515CDC-T1-E3 датащи(PDF) 5 Page - Vishay Siliconix |
|
SI5515CDC-T1-E3 датащи(HTML) 5 Page - Vishay Siliconix |
5 / 16 page Document Number: 68747 S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10 www.vishay.com 5 Vishay Siliconix Si5515CDC N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.1 1 10 100 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 TJ = 150 °C VSD -Source-to-Drain Voltage (V) TJ = 25 °C 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 024 6 8 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TJ =25 °C TJ = 125 °C ID =6A 0 10 20 30 40 1 10-1 10-4 10-3 Time (s) 10-2 1000 100 10 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 TA =25 °C Single Pulse 100 ms 1s 10 s DC Limited byRDS(on)* BVDSS Limited 10 ms 1ms 100 µs |
Аналогичный номер детали - SI5515CDC-T1-E3 |
|
Аналогичное описание - SI5515CDC-T1-E3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |