поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI2315BDS-T1 датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI2315BDS-T1 датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 9 page www.vishay.com 4 Document Number: 72014 S-80642-Rev. E, 24-Mar-08 Vishay Siliconix Si2315BDS TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 1.0 1.2 1 10 20 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 TJ = 150 °C VSD - Source-to-Drain Voltage (V) TJ = 25 °C - 0.6 - 0.4 - 0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0 1234 5 ID = 3.5 A VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0.01 0 1 6 12 2 4 10 600 0.1 Time (s) 8 10 100 TA = 25 °C Safe Operating Area 100 1 0.1 1 10 100 Limited by RDS(on)* 0.01 10 TA = 25 °C Single Pulse 10 ms 100 ms DC, 100 s 0.1 1 ms, 100 µs 1 s 10 s VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS minimum VGS at which RDS(on) is specified |
Аналогичный номер детали - SI2315BDS-T1 |
|
Аналогичное описание - SI2315BDS-T1 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |