поискавой системы для электроныых деталей |
|
STN4828 датащи(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
|
STN4828 датащи(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 6 page STN4828 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 10.0A 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2007, Stanson Corp. STN4828 2008. V1 3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA 60 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250 uA 0.8 2.5 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±20V ±100 nA VDS=48V,VGS=0V 1 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS TJ=55℃ VDS=48V,VGS=0V 5 uA On-State Drain Current ID(on) VDS≦5V,VGS=4.5V 25 A Drain-source On-Resistance RDS(on) VGS=10V, ID=10A VGS=4.5V, ID=6A 0.030 0.035 0.038 0.045 Ω Forward Tran Conductance gfs VDS=5.0V,ID=5.3A 24 S Diode Forward Voltage VSD IS=1.7A,VGS=0V 0.8 1.0 V Dynamic Total Gate Charge Qg 10 Gate-Source Charge Qgs 3.5 Gate-Drain Charge Qgd VDS=30V,VGS=5V ID≡5.3A 3.6 nC Input Capacitance Ciss 890 Output Capacitance Coss 84 Reverse TransferCapacitance Crss VDS=30V,VGS=0V f=1MHz 49 pF 10 14 Turn-On Time td(on) tr 15 20 25 35 Turn-Off Time td(off) tf VDD=30V,RL=6.8Ω ID=4.4A,VGEN=10V RG=1Ω 10 15 nS |
Аналогичный номер детали - STN4828 |
|
Аналогичное описание - STN4828 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |