поискавой системы для электроныых деталей |
|
STP6625 датащи(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
|
STP6625 датащи(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 7 page STP6625 P Channel Enhancement Mode MOSFET -5.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com . STP6625 2010. V1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=-250uA -60 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=-250 uA -0.8 -2.5 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±20V ± 100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-48V,VGS=0V -1 uA VDS=-48V,VGS=0V TJ=85℃ -10 Drain-source On-Resistance RDS(on) VGS=-10V, ID=-5A VGS=-4.5V, ID=-3A 0.060 0.085 0.072 0.095 Ω Forward Tran Conductance gfs VDS=-5V,ID=-6.7A 18 S Diode Forward Voltage VSD IS=-2.3A,VGS=0V -0.7 -1.0 V Dynamic Total Gate Charge Qg VDS=-30V,VGS=-10 ID≡-6.2A 45 nC Gate-Source Charge Qgs 5.2 Gate-Drain Charge Qgd 9.3 Input Capacitance Ciss VDS =-30V,VGS=0V f=1MHz 2010 pF Output Capacitance Coss 130 Reverse TransferCapacitance Crss 105 Turn-On Time td(on) tr VDS=-30V,RL=4.7Ω VGS=-10V,RGEN=3Ω 9 nS 6.1 Turn-Off Time td(off) tf 44 12.9 |
Аналогичный номер детали - STP6625 |
|
Аналогичное описание - STP6625 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |