поискавой системы для электроныых деталей |
|
BF908WR_2015 датащи(PDF) 5 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
|
BF908WR_2015 датащи(HTML) 5 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
5 / 7 page 1995 Apr 25 5 Philips Semiconductors Preliminary specification N-channel dual-gate MOS-FET BF908WR Fig.3 Transfer characteristics; typical values. VDS =8V. Tj =25 °C. handbook, halfpage 0 10 20 30 40 0 0.2 0.4 0.6 –0.2 –0.4 –0.6 3 V 2 V 1.5 V 1 V 0.5 V 0 V (mA) ID = 4 V VG2-S VG1-S (V) MRC281 Fig.4 Output characteristics; typical values. VG2-S =4V. Tj =25 °C. handbook, halfpage 0 10 20 30 04 8 12 0.2 V 0.1 V 0 V –0.2 V –0.3 V –0.1 V V (V) DS I D (mA) 16 V = G1-S 0.3 V MRC282 Fig.5 Forward transfer admittance as a function of drain current; typical values. VDS =8V. Tj =25 °C. 0 10 20 30 40 50 0 5 10 15 20 25 0.5 V 1 V 1.5 V 2 V 3 V 4 V VG2-S = 0 V Yfs (mS) ID (mA) MRC280 Fig.6 Forward transfer admittance as a function of junction temperature; typical values. 0 20 40 60 0 40 80 120 160 40 Yfs (mS) T j ( C) o MRC276 |
Аналогичный номер детали - BF908WR_2015 |
|
Аналогичное описание - BF908WR_2015 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |