поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI2307BDS-3 датащи(PDF) 4 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
|
SI2307BDS-3 датащи(HTML) 4 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
4 / 5 page SMD Type www.kexin.com.cn 4 MOSFET . P-Channel Enhancement MOSFET SI2307BDS (KI2307BDS) ■ Typical Characterisitics Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage T J = 150 °C VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 10 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 T J = 25 °C - 0.3 - 0.2 - 0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ - Temperature (°C) ID = 250µA On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 2 4 6 8 10 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) I D = 3.2 A Time (s) TA = 25 °C 10 8 6 4 2 0 0.01 0.1 1 10 100 1000 Safe Operating Area, Junction-to-Case Square Wave Pulse Duration (s) 100 1 0.1 1 10 100 0.001 10 0.1 TA = 25 °C Single Pulse 10 ms 100 ms 10 µs 100 µs 1 ms 10 s, 1 s DC, 100 s 0.01 Limited by RDS(on)* VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified |
Аналогичный номер детали - SI2307BDS-3 |
|
Аналогичное описание - SI2307BDS-3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |