поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI2309DS датащи(PDF) 1 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
|
SI2309DS датащи(HTML) 1 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
1 / 5 page SMD Type www.kexin.com.cn 1 MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI2309DS (KI2309DS) ■ Features ● VDS (V) =-60V ● ID =-1.25 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) < 340mΩ (VGS =-10V) ● RDS(ON) < 550mΩ (VGS =-4.5V) 0.4 +0.1 -0.1 2.9 +0.1 -0.1 0.95 +0.1 -0.1 1.9 +0.1 -0.1 1.Gate 2.Source 3.Drain 1 2 3 Unit: mm SOT-23 0.1 +0.05 -0.01 G S D 2 3 1 ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -60 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current *1,*2 Ta = 25℃ -1.25 Ta = 70℃ -0.85 Pulsed Drain Current IDM -8 Avalanche Current L=0.1mH IAS -5 Power Dissipation *1,*2 Ta = 25℃ 1.25 Ta = 70℃ 0.8 Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t ≤5 sec 100 Steady State *1 166 Thermal Resistance.Junction- to-Case *1 RthJC 60 Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature Range Tstg -55 to 150 RthJA ID A PD W V ℃ /W ℃ *1 Surface Mounted on FR4 Board. *2 t ≤ 5 sec. |
Аналогичный номер детали - SI2309DS |
|
Аналогичное описание - SI2309DS |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |