поискавой системы для электроныых деталей |
|
BF1204 датащи(PDF) 3 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
|
BF1204 датащи(HTML) 3 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
3 / 12 page 2001 Apr 25 3 Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel dual gate MOS-FET BF1204 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT Per MOS-FET; unless otherwise specified VDS drain-source voltage − 10 V ID drain current (DC) − 30 mA IG1 gate 1 current −±10 mA IG2 gate 2 current −±10 mA Ptot total power dissipation Ts ≤ 102 °C − 200 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj operating junction temperature − 150 °C SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Rth j-s thermal resistance from junction to soldering point 240 K/W handbook, halfpage 0 50 100 200 250 0 200 MGS359 150 150 100 50 Ts (°C) Ptot (mW) Fig.2 Power derating curve. |
Аналогичный номер детали - BF1204_15 |
|
Аналогичное описание - BF1204_15 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |