поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI2312CD датащи(PDF) 4 Page - Vishay Telefunken |
|
SI2312CD датащи(HTML) 4 Page - Vishay Telefunken |
4 / 10 page www.vishay.com 4 Document Number: 65900 S10-0641-Rev. A, 22-Mar-10 Vishay Siliconix Si2312CDS New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.1 1 10 100 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 TJ = 25 °C TJ = 150 °C VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 μA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power (Junction-to-Ambient) 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 024 6 8 TJ =25 °C ID =5A TJ = 125 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 8 16 24 32 0.001 0.01 0.1 1 10 100 Time (s) Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 TA = 25 °C Single Pulse 100 ms Limited by RDS(on)* BVDSS Limited 1ms 100 μs 10 ms 1s,10s DC VDS - Drain-to-Source Voltage (V) *V GS > minimum VGS at which RDS(on) is specified |
Аналогичный номер детали - SI2312CD |
|
Аналогичное описание - SI2312CD |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |