поискавой системы для электроныых деталей |
|
BAT54HT1G датащи(PDF) 2 Page - Fairchild Semiconductor |
|
BAT54HT1G датащи(HTML) 2 Page - Fairchild Semiconductor |
2 / 5 page © 2004 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com BAT54HT1G Rev. 1.2.0 2 Thermal Characteristics Electrical Characteristics Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Value Units PD Power Dissipation 200 mW RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 600 °C/W Symbol Parameter Test Conditions Min. Max. Units VR Breakdown Voltage IR = 10 μA30 V VF Forward Voltage IF = 0.1 mA 240 mV IF = 1.0 mA 320 mV IF = 10 mA 400 mV IF = 30 mA 500 mV IF = 100 mA 0.8 V IR Reverse Leakage VR = 25 V 2.0 μA CT Total Capacitance VR = 1 V, f = 1.0 MHz 10 pF trr Reverse Recovery Time IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA, RL = 100 Ω 5.0 ns |
Аналогичный номер детали - BAT54HT1G |
|
Аналогичное описание - BAT54HT1G |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |