поискавой системы для электроныых деталей |
|
BF999 датащи(PDF) 1 Page - Infineon Technologies AG |
|
BF999 датащи(HTML) 1 Page - Infineon Technologies AG |
1 / 5 page BF999 Nov-08-2002 1 Silicon N-Channel MOSFET Triode For high-frequency stages up to 300 MHz preferably in FM applications 1 2 3 VPS05161 ESD : Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Package BF999 LBs 1 = G 2 = D 3 = S SOT23 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-source voltage VDS 20 V Drain current ID 30 mA Gate-source peak current IGSM 10 mA Total power dissipation , TS 76 °C Ptot 200 mW Storage temperature Tstg -55 ... 150 °C Channel temperature Tch 150 Thermal Resistance Channel - soldering point1) Rthchs 370 K/W 1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance |
Аналогичный номер детали - BF999 |
|
Аналогичное описание - BF999 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |