поискавой системы для электроныых деталей |
|
ST04N20D датащи(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
|
ST04N20D датащи(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 7 page ST04N20D N Channel Enhancement Mode MOSFET 4.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2008, Stanson Corp. ST04N20D 2014. V1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA 200 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA 3 4.3 5 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±30V ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=200V,VGS=0V 1 uA Drain-source On- Resistance RDS(on) VGS=10V,ID=12A 375 400 mΩ Forward Transconductance gfs VDS=50V,ID=3A 3.8 S Diode Forward Voltage VSD IS=1A,VGS=0V 1 V Dynamic Total Gate Charge Qg VDS=160V,VGS=10V ID≡4 A 45 nC Gate-Source Charge Qgs 7.0 Gate-Drain Charge Qgd 23 Input Capacitance Ciss VDS =25,VGS=0V f=1MHz 800 pF Output Capacitance Coss 240 Reverse TransferCapacitance Crss 76 Turn-On Time td(on) tr VDS=100,RD=13Ω VGEN=10V, ID≡2 A RG=12.Ω 9.4 nS 23 Turn-Off Time td(off) tf 38.4 19.6 |
Аналогичный номер детали - ST04N20D |
|
Аналогичное описание - ST04N20D |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |