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BAT54AW датащи(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
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1 / 2 page BAT54W BAT54W Surface Mount Schottky-Barrier Double-Diodes Schottky-Barrier Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2014-08-21 Dimensions - Maße [mm] Power dissipation – Verlustleistung 1) 200 mW 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 30 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-323 Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode BAT54W-series Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2) Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Tp ≤ 10 ms Tp ≤ 5 µs IFSM IFSM 1 A 8 A Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 30 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS 125° C -55…+150° Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF = 0.1 mA IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 30 mA IF = 100 mA VF VF VF VF VF < 240 mV < 320 mV < 400 mV < 500 mV < 650 mV Leakage current – Sperrstrom 3) VR = 25 V VR = 30 V IR IR < 2 µA < 3 µA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 1 Vdc , f = 100 kHz … 1 MHz CT 10 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 5 ns Critical rate of rise of voltage – Kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dv/dt 10000 V/µs Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA 620 K/W 4) 1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% 4 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1.3 0.3 1±0.1 2±0.1 Type Code 3 2 1 |
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