Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

8

01.11.2003

BC 556 ... BC 559

General Purpose Transistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

Kunststoffgehäuse

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard Pinning

1 = C 2 = B 3 = E

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Maximum ratings (T

Grenzwerte (T

BC 556

BC 557

BC 558/559

Collector-Emitter-voltage

B open

- V

CE0

65 V

45 V

30 V

Collector-Base-voltage

E open

- V

CB0

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

C open

- V

EB0

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

P

tot

Collector current – Kollektorstrom (DC)

- I

C

100 mA

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

T

j

150

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

- 55…+ 150

Characteristics (T

Kennwerte (T

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V

h

FE

110...220

200...460

420...800

h-Parameters at - V

Small signal current gain

Stromverstärkung

h

fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangsimpedanz

h

ie

1.6...4.5 k

S

3.2...8.5 k

S

6...15 k

S

Output admittance – Ausg.-Leitwert

h

oe

18 < 30

30 < 60

60 < 110

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h

re

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspg.

- I

-V

CEsat

–

–

300 mV