поискавой системы для электроныых деталей |
|
BC817W датащи(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
|
BC817W датащи(HTML) 1 Page - Diotec Semiconductor |
1 / 2 page BC817W / BC818W BC817W / BC818W SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-PNP-Transistoren IC = 500 mA hFE ~ 180/290/520 Tjmax = 150°C VCEO = 25...45 V Ptot = 200 mW Version 2016-04-13 SOT-323 1 = B 2 = E 3 = C Dimensions - Maße [mm] Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BC817W BC818W Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5 V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 200 mW 2) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 500 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 3) VCE = 1 V, IC = 100 mA Group -16 Group -25 Group -40 hFE hFE hFE 100 160 250 – – – 250 400 600 VCE = 1 V, IC = 500 mA all groups hFE 40 – – Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 3) IC = 500 mA, IB = 50 mA VCEsat – – 0.7 V 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb RoHS 1.3 0.3 1±0.1 2±0.1 Type Code 3 2 1 |
Аналогичный номер детали - BC817W_16 |
|
Аналогичное описание - BC817W_16 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |