поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI4214DY датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI4214DY датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 9 page www.vishay.com 4 Document Number: 64726 S09-1223-Rev. B, 29-Jun-09 Vishay Siliconix Si4214DY New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 0.01 0.001 0.1 10 100 TJ = 25 °C TJ = 150 °C VSD -Source-to-Drain Voltage (V) - 1.0 - 0.7 - 0.4 - 0.1 0.2 0.5 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA ID =5mA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 012 345 67 8 910 TJ =25 °C TJ = 125 °C ID =7A VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 10 20 30 40 50 0 1 1 1 0 0 . 00.01 Time (s) 0.1 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 0.01 100 1 100 0.01 0.1 1ms 10 ms 1s 0.1 1 10 10 TA = 25 °C Single Pulse Limited byRDS(on)* DC 10 s BVDSS Limited 100 ms VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified |
Аналогичный номер детали - SI4214DY |
|
Аналогичное описание - SI4214DY |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |