поискавой системы для электроныых деталей |
|
MMBTH10 датащи(PDF) 1 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
MMBTH10 датащи(HTML) 1 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
1 / 4 page Production specification Silicon Epitaxial Planar Transistor MMBTH10 C125 www.gmicroelec.com Rev.A 1 FEATURES High transition frequency. Power dissipation.(PC=350mW). APPLICATIONS VHF/UHF Transistor. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code MMBTH10 3EM SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 3 V IC Collector Current -Continuous 50 mA PC Collector Dissipation 350 mW Tj,Tstg Junction and Storage Temperature -55 to +150 ℃ Pb Lead-free |
Аналогичный номер детали - MMBTH10 |
|
Аналогичное описание - MMBTH10 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |