поискавой системы для электроныых деталей |
|
KTA1666 датащи(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
KTA1666 датащи(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
2 / 4 page Production specification PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor KTA1666 E001 www.gmicroelec.com Rev.A 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-1mA,IE=0 -50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0 -50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-1mA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-50V,IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=-5V,IC=0 -0.1 μA DC current gain hFE VCE=-2V,IC=-500mA VCE=-2V,IC=-1.5A 70 40 240 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-1A, IB= -50mA -0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-1A, IB= -50mA -1.2 V Transition frequency fT VCE=-2V, IC= -0.5A 120 MHz Collector output capacitance Cob VCB=-10V,IE=0,f=1MHz 40 pF CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank O Y Range 70-140 120-240 MARKING WO WY |
Аналогичный номер детали - KTA1666 |
|
Аналогичное описание - KTA1666 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |