поискавой системы для электроныых деталей |
|
STF13N60M2 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STF13N60M2 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 14 page DocID023939 Rev 4 5/14 STF13N60M2, STFI13N60M2 Electrical characteristics Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit I SD Source-drain current - 11 A I SDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) - 44 A V SD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5% Forward on voltage I SD = 11 A, V GS = 0 - 1.6 V t rr Reverse recovery time I SD = 11 A, di/dt = 100 A/μs V DD = 60 V (see Figure 16) -297 ns Q rr Reverse recovery charge - 2.8 μC I RRM Reverse recovery current - 18.5 A t rr Reverse recovery time I SD = 11 A, di/dt = 100 A/μs V DD = 60 V, T j =150 °C (see Figure 16) -394 ns Q rr Reverse recovery charge - 3.8 μC I RRM Reverse recovery current - 19 A |
Аналогичный номер детали - STF13N60M2 |
|
Аналогичное описание - STF13N60M2 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |